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Título : Estudio de la aplicabilidad de pseudopotenciales empíricos locales en el cálculo de la estructura electrónica de aluminio y silicio
Autor : Otiniano, L.
Ruíz, M.
Fernández, R.
Mendoza, P.
Landauro, C. V.
Palabras clave : Estructura electrónica;Pseudopotenciales
Fecha de publicación : ago-2006
Editorial : Universidad Nacional de Ingeniería
Citación : Otiniano, L.; Ruíz, M; Fernández, R.; Mendoza, P. & Landauro, C. (2006). Estudio de la aplicabilidad de pseudopotenciales empíricos locales en el cálculo de la estructura electrónica de aluminio y silicio. REVCIUNI, 10(1).
Citación : Volumen;10
Número;1
Resumen : En el presente trabajo se emplean pseudopotenciales empíricos locales para estudiar la estructura electrónica de aluminio y silicio con el fin de obtener un procedimiento unificado, pero a la vez sencillo, para describir diferentes tipos de materiales. También se muestra que para casos reales la teoría de perturbaciones a primer orden falla para describir el ancho de la banda de energía prohibida. Una descripción más adecuada requiere del empleo de términos de segundo y tercer orden. La influencia del radio de corte (que es un parámetro libre en la teoría de pseudopotenciales) es estudiada en detalle. Efectos de presión y dilatación sobre el material también son discutidos.
In the present work we employ local empirical pseudopotentials to study the electronic structure of aluminium and silicon searching for an unified but also simple procedure to describe different kind of materials. It is also shown that for real cases first order perturbation theory is not enough to explain the width of the energy gap. A more realistic description requires higher orders. The influence of the cut-off radius (the free parameter in the pseudopotential theory) is also studied in detail. Effects of pressure and dilatation are also discussed.
URI : http://hdl.handle.net/20.500.14076/17230
ISSN : 1813 – 3894
Correo electrónico : d991093@uni.edu.pe
Derechos: info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
Aparece en las colecciones: Vol. 10 Núm. 1 (2006)

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