Estudio de un transistor de silicio inversor de potencia con carga reactiva utilizando un computador 360

Abstract

El presente estudio es llevado a cabo en forma eminentemente teórica. Se basa en el comportamiento de un transistor de Silicio con carga reactiva, y se han tomado en cuenta las consideraciones siguientes: El funcionamiento del transistor en las regiones de corte y saturación. El comportamiento del transistor como un conmutador. Las condiciones transitorias y estáticas de operación. Para poder llegar a conclusiones satisfactorias ha sido necesaria recurrir a la ayuda de un computador, por la rapidez con que puede realizar los cálculos, que ·de otro modo llevaría demasiado tiempo hacerlos. Con la ayuda del computador se simulan las respuestas del transistor a la aplicación de un tren de pulsos de tensión. Hemos escogido un modelo de circuito transistorizado con carga reactiva, el cual será analizado matemáticamente y las ecuaciones resultantes formarán parte de un programa computacional, el cual, de acuerdo a los datos introducidos, nos dará respuesta en forma de tablas y de gráficos de corrientes y tensiones. En base a los resultados obtenidos, se dan pautas para evitar que ciertas condiciones transitorias destruyan el transistor, también describiremos técnicas correctivas en el caso específico de deflexión horizontal en la televisión, la cual es conjuntamente con el radar, una de las aplicaciones mayores de los circuitos con carga reactiva.