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http://hdl.handle.net/20.500.14076/295
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Campo DC | Valor | Lengua/Idioma |
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dc.contributor.advisor | Estrada López, Walter Francisco | - |
dc.contributor.author | Solís Véliz, José Luis | - |
dc.creator | Solís Véliz, José Luis | - |
dc.date.accessioned | 2013-09-04T17:10:08Z | - |
dc.date.available | 2013-09-04T17:10:08Z | - |
dc.date.issued | 1995 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.14076/295 | - |
dc.description.abstract | En este trabajo se obtuvo películas delgadas de tungstato de estaño(II) mediante la técnica del "sputtering" reactivo. El proceso de deposición se efectuó mediante el "sputtering" simultáneo (co-sputtering) de dos blancos (targets), uno de tungsteno y otro de estaño, en una atmósfera de 11% Ü2 / Ar, Para el primer caso se empleó un potencial r.f. y para el segundo caso un potencial d.c. Las películas obtenidas fueron amorfas. Estas fueron cristalizadas térmicamente usando atmósfera reducida, llevando las muestras a temperaturas de 400 °C y 600 °C durante 4 horas. La película delgada obtenida aplicando 150 W de potencia a cada "target" adopta una estructura policristalina con una estructura correspondiente al a-SnWO4 después de un tratamiento térmico a 400 °C. Las películas fueron caracterizadas en sus propiedades estructurales y su composición mediante Difracción de Rayos X (XRD), Espectroscopia de Retrodispersión de Rutherford (RBS), Espectroscopia Mossbauer de Electrones de Conversión (CEMS), Microscopía Electrónica de Barrido (SEM y EDS) y Microscopía de Fuerza Atómica (AFM). Los resultados de XRD, CEMS, RBS y EDS indican la presencia Sn + y Sn + en las muestras, y además que las fases predominantes en ellas son SnO2 y a-SnWO4. Los parámetros hiperfinos de está última fase se han determinado, no existiendo aún estos datos en la literatura actual. Se estudió el comportamiento eléctrico de las muestras, sometiéndolo a diferentes atmósferas: mezcla de aire sintético (80% N2 y 20% 02) con CO y aire sintético con NO. Se observó un efecto poco común en la interacción CO-película y NO-película. Usualmente, el CO actúa como un gas reductor incrementando la conductancia de un semiconductor tipo n. Sin embargo en este trabajo, a temperaturas debajo de 250 °C, CO actúa como un gas oxidante disminuyendo la conductancia de la película. A temperaturas sobre los 250 °C el CO actúa como gas reductor, tal como usualmente se espera. Este doble comportamiento depende de la composición del material. Si la relación Sn/W es menor de 0.4 no se presenta este doble comportamiento como reductor y oxidante del CO. Efectos similares se observaron también para el NO. | es |
dc.description.uri | Tesis | es |
dc.format | application/pdf | es |
dc.language.iso | spa | es |
dc.publisher | Universidad Nacional de Ingeniería | es |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess | es |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ | es |
dc.source | Universidad Nacional de Ingeniería | es |
dc.source | Repositorio Institucional - UNI | es |
dc.subject | Experimentos | es |
dc.subject | Películas delgadas | es |
dc.subject | Detectores de gases | es |
dc.title | Estudio de las propiedades como sensor de gas del a-SnWO4 | es |
dc.type | info:eu-repo/semantics/masterThesis | es |
thesis.degree.name | Maestro en Ciencias con Mención en Ciencia de los Materiales | es |
thesis.degree.grantor | Universidad Nacional de Ingeniería. Facultad de Ciencias. Unidad de Posgrado | es |
thesis.degree.level | Maestría | es |
thesis.degree.discipline | Maestría en Ciencias con Mención en Ciencia de los Materiales | es |
thesis.degree.program | Maestría | es |
Aparece en las colecciones: | Maestría |
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Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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