Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://hdl.handle.net/20.500.14076/295
Registro completo de metadatos
Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.advisorEstrada López, Walter Francisco-
dc.contributor.authorSolís Véliz, José Luis-
dc.creatorSolís Véliz, José Luis-
dc.date.accessioned2013-09-04T17:10:08Z-
dc.date.available2013-09-04T17:10:08Z-
dc.date.issued1995-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.14076/295-
dc.description.abstractEn este trabajo se obtuvo películas delgadas de tungstato de estaño(II) mediante la técnica del "sputtering" reactivo. El proceso de deposición se efectuó mediante el "sputtering" simultáneo (co-sputtering) de dos blancos (targets), uno de tungsteno y otro de estaño, en una atmósfera de 11% Ü2 / Ar, Para el primer caso se empleó un potencial r.f. y para el segundo caso un potencial d.c. Las películas obtenidas fueron amorfas. Estas fueron cristalizadas térmicamente usando atmósfera reducida, llevando las muestras a temperaturas de 400 °C y 600 °C durante 4 horas. La película delgada obtenida aplicando 150 W de potencia a cada "target" adopta una estructura policristalina con una estructura correspondiente al a-SnWO4 después de un tratamiento térmico a 400 °C. Las películas fueron caracterizadas en sus propiedades estructurales y su composición mediante Difracción de Rayos X (XRD), Espectroscopia de Retrodispersión de Rutherford (RBS), Espectroscopia Mossbauer de Electrones de Conversión (CEMS), Microscopía Electrónica de Barrido (SEM y EDS) y Microscopía de Fuerza Atómica (AFM). Los resultados de XRD, CEMS, RBS y EDS indican la presencia Sn + y Sn + en las muestras, y además que las fases predominantes en ellas son SnO2 y a-SnWO4. Los parámetros hiperfinos de está última fase se han determinado, no existiendo aún estos datos en la literatura actual. Se estudió el comportamiento eléctrico de las muestras, sometiéndolo a diferentes atmósferas: mezcla de aire sintético (80% N2 y 20% 02) con CO y aire sintético con NO. Se observó un efecto poco común en la interacción CO-película y NO-película. Usualmente, el CO actúa como un gas reductor incrementando la conductancia de un semiconductor tipo n. Sin embargo en este trabajo, a temperaturas debajo de 250 °C, CO actúa como un gas oxidante disminuyendo la conductancia de la película. A temperaturas sobre los 250 °C el CO actúa como gas reductor, tal como usualmente se espera. Este doble comportamiento depende de la composición del material. Si la relación Sn/W es menor de 0.4 no se presenta este doble comportamiento como reductor y oxidante del CO. Efectos similares se observaron también para el NO.es
dc.description.uriTesises
dc.formatapplication/pdfes
dc.language.isospaes
dc.publisherUniversidad Nacional de Ingenieríaes
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccesses
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/es
dc.sourceUniversidad Nacional de Ingenieríaes
dc.sourceRepositorio Institucional - UNIes
dc.subjectExperimentoses
dc.subjectPelículas delgadases
dc.subjectDetectores de gaseses
dc.titleEstudio de las propiedades como sensor de gas del a-SnWO4es
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesises
thesis.degree.nameMaestro en Ciencias con Mención en Ciencia de los Materialeses
thesis.degree.grantorUniversidad Nacional de Ingeniería. Facultad de Ciencias. Unidad de Posgradoes
thesis.degree.levelMaestríaes
thesis.degree.disciplineMaestría en Ciencias con Mención en Ciencia de los Materialeses
thesis.degree.programMaestríaes
Aparece en las colecciones: Maestría

Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato  
solis_vj.pdf35,85 MBAdobe PDFVisualizar/Abrir


Este ítem está sujeto a una licencia Creative Commons Licencia Creative Commons Creative Commons

Indexado por:
Indexado por Scholar Google LaReferencia Concytec BASE renati ROAR ALICIA RepoLatin UNI