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Title: Caracterización eléctrica y electroquímica de sensores tipo transistor de efecto de campo sensitivo a Iones (ISFET)
Authors: Cava, Gabriel
Dávila, José,
Mogrovejo, Salvador
Gutarra, Abel
Silva, Carlos
Keywords: MOSFET;ISFET;Nitruro de Silicio;Voltaje umbral
Issue Date: Jul-2005
Publisher: Universidad Nacional de Ingeniería
Citation: Cava, G., Dávila, J.; Mogrovejo, S.; Silva, C. & Gutarra, A. (2005). Caracterización eléctrica y electroquímica de sensores tipo transistor de efecto de campo sensitivo a Iones (ISFET). REVCIUNI, 9(1).
Series/Report no.: Volumen;9
Número;1
Abstract: En este trabajo se reportan mediciones eléctricas y electroquímicas obtenidas en sensores químicos lSFET’s fabricados con nitruro de silicio como material sensible al pH y se presenta una breve introducción a sus principios de funcionamiento. Se describen las técnicas de polarización utilizadas para la extracción de las curvas voltaje-corriente, la sensibilidad química v el voltaje umbral. Además, se muestra el montaje experimental de un sistema de detección por inyección de pulsos, el cual resultó funcional.
This paper reports electrical and electrochemical measurements obtained for chemical sensors ISFET’s using Silicon nitride as sensitive material to pH and gives a brief introduction to its theory of operation. Additionally we describe the polarization techniques used for the extraction of voltage-current curves, Chemical sensibility and threshold voltage. Furthermore an experimental detection system by pulse injection is shown, which was functional.
URI: http://cybertesis.uni.edu.pe/handle/uni/17168
ISSN: 1813 – 3894
E-mail: ivancavad@yahoo.es
Rights: info:eu-repo/semantics/embargoedAccess
Appears in Collections:Vol. 9 Núm. 1 (2005)

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