Elaboración de películas delgadas de silicio amorfo hidrogenado por glow discharge dc y su caracterización eléctrica y óptica

Abstract

El presente trabajo tiene por objeto describir un método no tradicional para el crecimiento de a-Si: H por el plasma DC que considera una reacción de descarga gaseosa del hidrógeno con trozos de silicio policristalino de grado metalúrgico produciéndose la mixtura a-Si-H. Este compuesto se va a depositar sobre un substrato de vidrio formándose una mixtura a-Si-H. Este concepto se va depositar sobre un substrato de vidrio, formándose una película delgada de a-Si:H. El proceso puede ser considerado como una extensión del método PAT de “Vepreck” (Plasma Associated Transport), el cual involucra grandes áreas de reacción. Se presentan exitosamente algunas modificaciones en el laboratorio de un equipo de deposición “Glow Discharge” DC, que ha sido montado en el laboratorio de Conversión Fotovoltaica de la Facultad de Ciencias de la UNI. Se presentan algunas caracterizaciones eléctricas y ópticas de las películas obtenidas de a-Si :H, depositadas sobre substratos de vidrio transparente mantenidos a temperaturas de 200 y 220 ° C, verificándose sus propiedades semiconductoras y las variaciones producidas con los diferentes tratamientos térmicos. Las películas fueron analizadas usando Difractometría de Rayos X para determinar su amorficidad y para determinar su composición se realizó un análisis por la técnica de Electrónica Auger. El tipo de conductividad de las muestras se determinó mediante la respuesta termoeléctrica, usando la sonda Seebeck. Este trabajo forma parte del proyecto de investigación Conversión fotovoltaica de la Energía solar de la Facultad de Ciencias de la UNI y considero un aporte en el estudio de películas delgadas de silicio amorfo y en general, de los semiconductores amorfos.