Espectroscopia de fotocorriente aplicado a celdas solares de película delgada elaboradas en base a Silicio amorfo hidrogenado (A - Si:H)

Abstract

En este trabajo reportamos mediciones de la respuesta óptica de silicio amorfo (a-Si:H), bajo el umbral del Gap óptico, empleando el método de espectroscopia de fotocorriente, Las películas de a-Si:H fueron elaborados por medio de un sistema plasmático DC no convencional. Las medidas sugieren que la densidad de estados de este material no es muy diferente del silicio amorfo convencional. Se determinan las posiciones de las correspondientes transiciones electrónicas fotovoltaicas, existiendo una buena correspondencia con niveles internos conocidos del material.

Using photocurrent spectroscopy, we report measurements of the photo response below the optical gap in hydrogenated amorphous Silicon (a-Si:H). The a-Si:H films were grown in a non conventional DC plasma assisted discharge chamber. The measurements suggest that the density of states of this material is not very different than conventional intrinsic a-Si:H (device- quality) and not so extended as usually taken. The positions of the corresponding photovoltaic transition energies are determined and agree very well with known data obtained by other methods.