Fotorespuesta de las películas delgadas de óxido de Ti preparadas por "Sputtering"

Abstract

Películas de óxido de Ti policristalino fueron depositadas empleando DC "sputtering" reactivo con magnetron de platos de Ti en una atmósfera de O2+Ar sobre láminas de vidrio pre-cubiertas con ITO (óxido de indio dopado con estaño). Las fases anatasa y rutilo se obtuvieron por calentamiento del sustrato durante el depósito de las películas la eficiencia en la conversión foton-incidente-corriente (denominado "IPCE" de la expresión inglesa Incident Photon-to-Current Eficiency) se estudió en función de diferentes parámetros de preparación, tales como la temperatura del sustrato, el espesor de la película y la relación de flujos O/A r. la fotorespuesta se midió usando un sistema de tres electrodos empleando un electrolito acuoso de O.1 M de KI, que fue purgado con nitrógeno. El espectro de la fotorespuesta se obtuvo en un rango de longitud de onda entre 280 y 400 nm. Se encontró que la fotorespuesta dependió grandemente de la estequiometría del material. del espesor de las películas. así como de la estructura cristalina del óxido de Ti.

Polycristalline Ti oxide thin films were prepared by reactive DC magnetron sputtering of Ti in O2 + Ar onto Indiam Tin Oxide (ITO) coated glass. Rutile and anatase phase films were obtained by heating the substrate during the deposition. Incident photon-t0-current efficiency (IPCE) was studied as a function of several sputtering prameters such as temperature of the susbstrate, film thickness, and O/Ar. The IPCE increased as the crystallinity of Ti oxide was systematically varied from amorphous to a mixture of anatase and rutile, and it was also enhanced in films deposited at low O/Ar ratios. The photoresponse was measured using a threee-electrode set-up with an electrolyte consisting of an aqueous O.1 M KI solution purged with nitrogen. Action spectra were scanned between 280 and 400 nm in wavelength. The photogenerate current was found to be highly dependent on the composition, thickness, and structure of Ti oxide films.