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http://hdl.handle.net/20.500.14076/17168
Título : | Caracterización eléctrica y electroquímica de sensores tipo transistor de efecto de campo sensitivo a Iones (ISFET) |
Autor : | Cava, Gabriel Dávila, José, Mogrovejo, Salvador Gutarra, Abel Silva, Carlos |
Palabras clave : | MOSFET;ISFET;Nitruro de Silicio;Voltaje umbral |
Fecha de publicación : | jul-2005 |
Editorial : | Universidad Nacional de Ingeniería |
Citación : | Cava, G., Dávila, J.; Mogrovejo, S.; Silva, C. & Gutarra, A. (2005). Caracterización eléctrica y electroquímica de sensores tipo transistor de efecto de campo sensitivo a Iones (ISFET). REVCIUNI, 9(1). |
Citación : | Volumen;9 Número;1 |
Resumen : | En este trabajo se reportan mediciones eléctricas y electroquímicas obtenidas en sensores químicos lSFET’s fabricados con nitruro de silicio como material sensible al pH y se presenta una breve introducción a sus principios de funcionamiento. Se describen las técnicas de polarización utilizadas para la extracción de las curvas voltaje-corriente, la sensibilidad química v el voltaje umbral. Además, se muestra el montaje experimental de un sistema de detección por inyección de pulsos, el cual resultó funcional. This paper reports electrical and electrochemical measurements obtained for chemical sensors ISFET’s using Silicon nitride as sensitive material to pH and gives a brief introduction to its theory of operation. Additionally we describe the polarization techniques used for the extraction of voltage-current curves, Chemical sensibility and threshold voltage. Furthermore an experimental detection system by pulse injection is shown, which was functional. |
URI : | http://hdl.handle.net/20.500.14076/17168 |
ISSN : | 1813 – 3894 |
Correo electrónico : | ivancavad@yahoo.es |
Derechos: | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess |
Aparece en las colecciones: | Vol. 9 Núm. 1 (2005) |
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Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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